铌酸锂(LiNbO3) 广泛用于Nd:YAG、Nd:YLF和Ti:Sapphire激光器的电光调制器和Q开关,以及光纤调制器等。LiNbO3晶体主要用于横向调制。LiNbO3晶体还广泛用于波长大于1um的倍频器、1064nm泵浦的光参量振荡器(OPO)以及准相位匹配(QPM)器件。
货号 :
LiNbO3主要特点:
较大的电光(EO)系数
较大的声光(AO)系数
典型应用:
规格:
尺寸公差 | ±0.1毫米 |
角度公差 | ±0.5度 |
波前畸变 | <λ/4 @ 633nm |
表面平整度 | <λ/8 @ 633 纳米 |
表面质量 | 20/10 刮擦和挖掘 |
并行性 | < 20角秒 |
垂直度 | < 5角分 |
通光孔径 | > 中部 90% |
增透膜 | 双面双波段增透膜@1064/532 nm, 使用 R < 0.2% @ 1064 nm 和 R < 每个表面 0.5% @ 0.532 nm |
物理和光学特性
晶体结构 | 三方晶系,空间群 R3c |
电池参数 | a = 0.515Å,c = 13.863Å,Z = 6Å |
熔点 | 1255±5oC |
居里点 | 1140±5oC |
莫氏硬度 | 5 |
密度 | 4.64克/厘米3 |
吸收系数 | ~ 0.1%/cm @1064nm |
溶解度: | 不溶于H2O |
相对介电常数 | eT11/e0:85 eT33/e0:29.5 |
热膨胀系数(@25oC) | ||a,2.0 x 10-6/K ||c, 2.2 x 10-6/K |
热导率 | 38 瓦/米/开尔文 @ 25oC |
透明度范围 | 420 - 5200 纳米 |
光学均匀性 | 约 5 x 10-5 /厘米 |
Sellmeier 方程(l 单位为毫米) | no2(l)= 4.9048+0.11768/(λ2 -0.04750)-0.027169λ2 ne2(l)= 4.5820+0.099169/(λ2-0.04443)-0.021950λ2 |
NLO系数 | d33 = 34.4 下午/伏 d31 = d15 = 5.95 下午/伏 d22 = 3.07 下午/伏 |
电光系数 | gT33 = 32 皮秒/伏,克S33 = 31 下午/伏 gT31 = 10 pm/V,克S31 = 8.6 下午/伏 gT22 = 6.8 皮米/伏,克S22 = 3.4 pm/V |
半波电压,直流 | 电场||z,光^z 3.03 KV 电场||x或y,光||z 4.02 KV |
效率非线性光学系数 | d效果=5.7pm/V 或~14.6xd36(KDP)用于倍频1300nm; d效果=5.3pm/V 或~13.6xd36(KDP)用于在 1300nm 处泵浦的 OPO; d效果=17.6pm/V 或~45xd36(KDP)为准相位匹配结构; |
损伤阈值 | 200 兆瓦/厘米2 |
标准产品系列
MT- Optics,Inc. 可提供用于多种应用的 LiNbO3 产品,例如 EO 调制器、波导基板、倍频器、SAW 晶片应用等。
1. 电光调制器
零件编号 | 方面 | 切 | 涂层 | 电极 |
LNO001 | 3x3x15毫米 | Z形切割 | 增透膜/增透膜@1064nm | X 面上的 Au |
LNO002 | 4x4x15毫米 | Z形切割 | 增透膜/增透膜@1064nm | X 面上的 Au |
LNO003 | 6x6x25毫米 | Z形切割 | 增透膜/增透膜@1064nm | X 面上的 Au |
LNO004 | 9x9x25毫米 | Z形切割 | 增透膜/增透膜@1064nm | X 面上的 Au |
2. 波导基板
零件编号 | 方面 | 端面 |
LNO101 | 50x50x1毫米 | 一面抛光,反面精磨 |
3. SAW晶片
零件编号 | 方面 | 厚度 | 端面 |
LNO201 | 76.2毫米 | 0.5毫米 | 一面抛光,反面精磨 |
注:还可根据要求提供127.86度Y切、Y切、Z切和其他切。
氧化镁掺杂铌酸锂晶体
与LiNbO3晶体相比,MgO:LiNbO3晶体在Nd:激光器的NCPM倍频(SHG)、混频(SFG)和光参量振荡器(OPO)中表现出独特的优势。MgO:LiNbO3也是光参量振荡器(OPO)和放大器(OPA)、准相位匹配倍频器和集成波导的良好晶体。
MgO:LiNbO3 具有与纯 LiNbO3 相似的有效非线性系数。其 Sellmeier 方程(MgO 掺杂量为 7 mol%)为:
no2=4.8762+0.11554/(λ2 -0.04674)-0.033119λ2
ne2=4.5469+0.094779/(λ2 - 0.04439) - 0.026721λ2
钽酸锂晶体
LiTaO3 晶体也广泛用作电光调制器,具有 NLO 和 EO 特性
与 LiNbO3 相似,但损伤阈值更高(纳秒脉冲时损伤阈值 >500 MW/cm)。