铌酸锂(LiNbO3) 广泛用于Nd:YAG、Nd:YLF和Ti:Sapphire激光器的电光调制器和Q开关,以及光纤调制器等。LiNbO3晶体主要用于横向调制。LiNbO3晶体还广泛用于波长大于1um的倍频器、1064nm泵浦的光参量振荡器(OPO)以及准相位匹配(QPM)器件。
货号 :
LiNbO3主要特点:
较大的电光(EO)系数
较大的声光(AO)系数
典型应用:
规格:
尺寸公差
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±0.1mm
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角度公差
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±0.5°
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波前畸变
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<λ/4 @ 633nm
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面型
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<λ/8 @ 633 nm
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光洁度
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20/10
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平行度
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< 20″
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垂直度
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< 5′
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通光孔径
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> 中部 90%
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增透膜
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双面双波段增透膜@1064/532 nm,
使用 R < 0.2% @ 1064 nm 和 R < 每个表面 0.5% @ 0.532 nm
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物理和光学特性
晶体结构
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三方晶系,空间群 R3c
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电池参数
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a = 0.515Å,c = 13.863Å,Z = 6Å
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熔点
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1255±5oC
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居里点
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1140±5oC
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莫氏硬度
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5
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密度
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4.64g/cm3
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吸收系数
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~ 0.1%/cm @1064nm
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溶解度:
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不溶于H2O
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相对介电常数
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eT11/e0:85
eT33/e0:29.5 |
热膨胀系数(@25oC)
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||a,2.0 x 10-6/K
||c, 2.2 x 10-6/K |
热导率
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38 W /m /K @ 25oC
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透明度范围
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420 - 5200 nm
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光学均匀性
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约 5 x 10-5 /cm
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Sellmeier 方程(l 单位为毫米)
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no2(l)= 4.9048+0.11768/(λ2 -0.04750)-0.027169λ2
ne2(l)= 4.5820+0.099169/(λ2-0.04443)-0.021950λ2 |
NLO系数
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d33 = 34.4 pm/V
d31 = d15 = 5.95 pm/V d22 = 3.07 pm/V |
电光系数
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gT33 = 32 皮秒/伏,克S33 = 31 pm/V
gT31 = 10 pm/V,克S31 = 8.6 pm/V gT22 = 6.8 皮米/伏,克S22 = 3.4 pm/V |
半波电压,直流
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电场||z,光^z 3.03 KV
电场||x或y,光||z 4.02 KV
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效率非线性光学系数
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d效果=5.7pm/V 或~14.6xd36(KDP)用于倍频1300nm;
d效果=5.3pm/V 或~13.6xd36(KDP)用于在 1300nm 处泵浦的 OPO; d效果=17.6pm/V 或~45xd36(KDP)为准相位匹配结构; |
损伤阈值
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200 WM/cm2
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标准产品系列
MT- Optics,Inc. 可提供用于多种应用的 LiNbO3 产品,例如 EO 调制器、波导基板、倍频器、SAW 晶片应用等。
1. 电光调制器
型号
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方面
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切
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涂层
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电极
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LNO001
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3x3x15mm
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Z形切割
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增透膜/增透膜@1064nm
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X 面上的 Au
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LNO002
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4x4x15mm
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Z形切割
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增透膜/增透膜@1064nm
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X 面上的 Au
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LNO003
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6x6x25mm
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Z形切割
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增透膜/增透膜@1064nm
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X 面上的 Au
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LNO004
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9x9x25mm
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Z形切割
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增透膜/增透膜@1064nm
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X 面上的 Au
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2. 波导基板
型号
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方面
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端面
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LNO101
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50x50x1mm
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一面抛光,反面精磨
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3. SAW晶片
型号
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方面
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厚度
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端面
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LNO201
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76.2mm
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0.5mm
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一面抛光,反面精磨
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注:还可根据要求提供127.86度Y切、Y切、Z切和其他切。
氧化镁掺杂铌酸锂晶体
与LiNbO3晶体相比,MgO:LiNbO3晶体在Nd:激光器的NCPM倍频(SHG)、混频(SFG)和光参量振荡器(OPO)中表现出独特的优势。MgO:LiNbO3也是光参量振荡器(OPO)和放大器(OPA)、准相位匹配倍频器和集成波导的良好晶体。
MgO:LiNbO3 具有与纯 LiNbO3 相似的有效非线性系数。其 Sellmeier 方程(MgO 掺杂量为 7 mol%)为:
no2=4.8762+0.11554/(λ2 -0.04674)-0.033119λ2
ne2=4.5469+0.094779/(λ2 - 0.04439) - 0.026721λ2
钽酸锂晶体
LiTaO3 晶体也广泛用作电光调制器,具有 NLO 和 EO 特性
与 LiNbO3 相似,但损伤阈值更高(纳秒脉冲时损伤阈值 >500 MW/cm)。